東北大学、(株)メムス・コア 江刺 正喜
1. はじめに
高密度集積回路 (LSI) や大容量通信技術のお陰で多くの情報が得られる時代になっていますが、多様なセンサやMEMS (Micro Electro Mechanical Systems) のような技術を、ビジネスとしてどう発展させていけばよいか、以前SEMI通信に書いた記事 https://www.semi.org/jp/blogs/technology-trends/mems-business (2020年6月30日) を具体的な事例は参照して頂きながら、バージョンアップして述べてみたいと思います。
2. LSIとMEMS
LSIの素子数は微細化により1.5年から2年で2倍になるムーアの法則で指数関数的に進歩してきましたが、これは高集積化の流れでMore Mooreと呼ばれます。これに対して、システムの入出力などに使われるセンサ・MEMS技術は多くの場合に多品種・少量で開発がボトルネックになり、毎年13%の割合で進歩し、多様化の流れでMore than Mooreと呼ばれます。米国のテキサスインスツルメンツ社の社長であった Patrik E. Haggerty氏は集積回路の将来について、「ほんの数社 (五つ程度) が工業の必要全需要の90%かそれ以上を供給する」と1964年に述べています (フレデリック サイツ、ノーマン アインシュプラッハ 「シリコンの物語」 内田老鶴圃 (2000))。標準化と大量生産で設備投資を回収できる集積回路に対し、MEMSビジネスは多くの場合に困難に遭遇します。2004年にカリフォルニア州サンノゼに SVTC (Silicon Valley Technology Center) という会社ができ、8インチラインでLSIとは異なる多様な半導体デバイスの試作・小規模生産を始めましたが、2012年10月に閉鎖されました。
SEMI通信に書いたようにMEMSビジネスはそれぞれ工夫して生き延びています。2003年に創立された米国のカリフォルニア州にあるA. M. Fitzgerald社は、技術戦略のコンサルティングや設計から試作を行い、量産ファウンドリに移行させる支援を行っていますが、主に大学の設備を使って6インチウェハで試作するコンパクトな形で行っています。またカナダでは、アルバータ州エドモントンにMEMSファウンドリTeledyne Micralyneがあります。1986年にスタートしたUniv. of Albertaのプロジェクトをベースに1998年にMicralyneが設立され、標準的なプロセスをプラットフォームにして発展してきましたが、2019年にTeledyneが買収しました。欧州の場合に、ドイツのフラウンホーファ研究機構 (FhG) の例では、それが各大学のキャンパスに分散して設置され、ニーズや技術課題を収集し完成度の高い技術を産業界に提供しています。フランスのMINATEC、ベルギーのiMEC、フィンランドのVTTなども、それぞれ産業界に貢献しています。
3. 日本のセンサ・MEMS
1990年頃まで日本のMEMSは世界の一翼を担っていました。例としては、豊田中央研究所で開発されたピエゾ抵抗型の圧力センサが、1980年代に自動車のエンジン制御に使われ、排気ガス対策に貢献しました。1987年に横河電機では振動型圧力センサを開発し、今でも使われています。また深くエッチングするBoschプロセスによるDRIE (Deep Reactive Ion Etching) を住友精密工業が1995年に製品化しMEMS分野に大きく貢献しました。
2000年頃からクローバル化が進み、企業内での開発が弱体化して、新たにMEMSを始めた多くの会社が正しく判断できずに、外部から持ち込まれた技術を安易に取り入れて失敗しました。同じピエゾ抵抗型3軸加速度センサを数社以上が作るという2006年頃の異常な状況 (日経エレクトロニクス 2006/9/11, 71-77) は日本企業における判断の弱さを象徴しており、関わった企業は撤退しました (日経マイクロデバイス, 2009/5, 80-81)。2010年頃から海外ベンチャ企業などとM&Aで提携するように変わってきました。新技術が生まれにくい日本の現状では止むを得ないと思いますが、組織間の壁を低くし日本発の新技術が産業に結び付くよう、努力していく必要があります。
MEMSファウンドリは2005頃に公的資金に支えられて生まれましたが、自社向けデバイスを優先して (日経マイクロデバイス, 2009/2, 104-105) 全てが撤退し、世界における地位が相対的に低下しました (日経マイクロデバイス, 2008/11, 49-55)。LSI関係のTSMC (台湾) や、MEMS関係最大のSilex Microsystems (スウェーデン) における、ピュアファウンドリとしての節操あるやり方を見習う必要があると思います。しかし日本のMEMSも、MEMSマイクロホンなどをMEMSファウンドリとして供給しているソニーセミコンダクタマニュファクチャリング、またMEMSマイクロホンを自ら製造しながら外国のMEMSファウンドリも使って供給する日清紡マイクロデバイス(旧 新日本無線)、光技術をベースにしたMEMSの試作・製造工場を持つ浜松ホトニクス、下で述べる「試作コインランドリ」も使いながら採算が合いにくいMEMS開発・試作を請け負うメムス・コアなど、特徴あるMEMSビジネスもあります。
日本のMEMSビジネスの問題を考えてみます。縦割り行政が要因で、産総研などが産学を結び付けるハブの役割を果たしてないことが課題です。日本の大学では、産業界の問題点が伝わらないため製品につながる研究は少なく、ベンチャ企業も育ちにくくなっています。また形式的に論文の数で研究を評価する傾向があり、採択されやすい新しさだけのテーマを選定することも問題です。一連の設備を利用して完成度の高い試作品を作れる環境や技術が無いため産業化につながらず、自分で作らず外部に丸投げも見られます。企業でもアイデアを実現するために設備投資をするわけにはいかず、しかし設計試作の経験を持たないで外部委託するとほとんど失敗します。
4. 試作コインランドリ
東北大学の「西澤潤一記念研究センター」では、移設した半導体工場をベースに寄付された設備などを利用し、1,800 m2 のクリーンルームにある「試作コインランドリ」 http://www.mu-sic.tohoku.ac.jp/coin/index.html で、会社から派遣された人が自分で操作し、4インチや6インチ、一部8インチのウェハで試作開発ができるようにしています。2010年より戸津健太郎教授が中心になって運営していますが、ここで作られたデバイスを市販させてほしいとの要望に応え、東北大学が文部科学省や経済産業省と交渉し、2013年より製品製作が認められました。2022年3月までのユーザは361機関 (企業297社)、毎月延べ1,000件ほど使われ、年間予算3億円ほどで利用料により独立採算に近い形で運営されています。また建物はモノづくりのベンチャ企業などにも利用されています。
MEMS技術は様々な知識を必要とするため、いかにして多様な知識にアクセスするかが大きな課題です。シーズから書いた 江刺正喜 「はじめてのMEMS」 森北出版 (2011)、ニーズから書いた 江刺正喜、小野崇人 「これからのMEMS – LSIとの融合 -」 森北出版 (2016)の他、入門書の 江刺正喜 「半導体微細加工技術 MEMSの最新テクノロジー」 アナログウェア No.13 (トランジスタ技術2020年11月号別冊付録) CQ出版社 (2020)、専門書の M. Esashi ed. “3D and Circuit Integration of MEMS”, Wiley VCH (2021) を参照してください。
会社の相談に乗り、各地で無料セミナーなどを開催して知識提供に努めてきました。1,000冊ほどの文献ファイルをExcelでキーワード検索できるようにしたり、関連する学会の予稿集などを整理し、探しやすくして利用頂いております。また4部屋の展示室 http://www.mu-sic.tohoku.ac.jp/nishizawa/ を整備し、サンプルなどを直接見て頂けるようにもしています。是非多くの方や会社にお使い頂きたいと思います。
【著者紹介】
江刺 正喜 (えさし まさよし)
東北大学 名誉教授
■著者略歴
昭和46年東北大学工学部電子工学科卒。51年同大学院博士課程修了。
同年より東北大学工学部助手、56年助教授、平成2年より教授となり、現在名誉教授。
東北大学 シニアリサーチフェロー (マイクロシステム融合研究開発センター) 兼 ㈱メムス・コア CTO。
半導体センサ、マイクロマシニングによる集積化システム、
MEMS(Micro Electro Mechanical Systems)の研究に従事。
■主な受賞
電子通信学会業績賞(昭和55年)、SSDM Award(平成13年)、第3回産学官連携推進会議文部科学大臣賞(平成16年)、紫綬褒章(平成18年)、IEEE Andrew S.Grove Award 2015(平成27年)、IEEE Jun-ichi Nishizawa Medal 2016(平成28年)、応用物理学会業績賞(令和4年) 他
丸善インテック(株) 技術顧問 仲井 淳一
1.はじめに
私たちは光と言えば、人間の目で見える可視光線(波長380〜780nm)をまず思い浮かべるが、光も宇宙を含めて空中を飛び回っている様々な電磁波の中の一つである。電磁波の中には波長が数十kmにも及ぶ電波から、十億分の1m(1nm)以下のX線や、さらに短いガンマ線まで数多くの種類がある。
宇宙に存在するあらゆる物体に対して光を当てると、その光の波長によって透過したり、反射したり、吸収したり、時には吸収した波長と異なる波長の光を発したり(蛍光)、さらにはその物体を構成する分子と光が相互作用してラマン散乱と呼ばれる現象が起きることがある。身近なところでは、物体で光が反射され、人間が視覚で色として認識できるということは、反射された可視光スペクトルが、人間の網膜に刺激を与えて色として感じさせているのである。
物体に光を当てて、その反射された光をその波長の相違によって分解し、光の波長帯(バンド)すなわち光スペクトル特性を調べることによって、その物体を構成する分子の特性や組成に関する様々な情報(分光データ)を得ることができる。この現象を利用した分光技術は、近年多方面で利用され、我々の生活に深く関わっている。
ここでは、物体を構成する分子独自の光スペクトル特性を得るために不可欠な光学部品の一つであるViavi Solutions社のハイパースペクトルフィルタアレイ(HFA:Hyperspectral Filter Array)について、その技術と応用を2回に分けて紹介する。
2.ハイパースペクトルフィルタアレイおよびその製造方法
2.1 ハイパースペクトルフィルタアレイ
我々が最も身近で利用しているデジタルカメラやスマートフォンに搭載されているカメラには、赤、緑、青(RGB)という光の三原色のカラーフィルタアレイを受光部上に形成したCCDやCMOSイメージセンサなどの固体撮像素子が使われている。その撮像面にカメラレンズを介して被写体を結像させ、その光の強さに応じた電気信号を映像信号として取り出すことによって、人の目に映る色合いを再現したカラー画像を取得している1) 。このようなRGBフィルタアレイは、被写体から反射された光のうち、可視光領域の光を3種類の波長帯(バンド)で3分割しただけであるが、さらにバンド数を増やすことによって、それぞれの波長ごとのより詳細な情報(分光データ)を得ることができる。
顕微鏡観察などで使われているマルチバンドフィルタアレイは多くても10バンド程度であるが、それよりも多いバンド数を有するフィルタアレイはハイパースペクトルフィルタアレイ(HFA)と呼ばれている。Viavi Solutions社のハイパースペクトルフィルタアレイ(HFA)は、近紫外線領域から中波長の赤外線領域(300〜5000nm)を、実用的には16〜300の波長帯(バンド)に分割することができる。また各フィルタ間の光の混色(迷光)を抑制するための遮光マスクを形成するオプションも有している2) 。Viavi Solutions社がガラス基板上に形成した近赤外線領域(775〜1075nm)を64バンドに分割したフィルタアレイの分光透過特性を図1に示す。これは300nm幅の近赤外線領域を約5nmおきに64分割したハイパースペクトルフィルタアレイ(HFA)である。
図1 近赤外線領域のHFA分光透過特性
2.2 ハイパースペクトルフィルタアレイの製造方法
ガラス基板上あるいは先に述べたCCDやCMOSイメージセンサが形成されたウェハ上に、このハイパースペクトルフィルタアレイ(HFA)を形成する方法を以下に述べる。
このフィルタは、光の持つ干渉性の原理を元に低屈折率と高屈折率の誘電体膜(スペーサ層)を交互に積層し、光の反射と吸収をコントロールすることによって形成することができる。上記イメージセンサ上に形成する場合は、厚さが可変のスペーサ層をイメージセンサの画素毎に所定の膜厚で成膜(スパッタリング、蒸着など)し、アレイ状に形成する3)4) 。スペーサ層としては、例えば750〜1100nmの近赤外線領域の場合、低屈折率誘電体膜として酸化ニオブ(Nb2O5)または酸化チタン(TiO2)を、高屈折率誘電体膜として水素化シリコン(SiH)などが使われる5) 。しかしながら、この方法で先述の64バンドに分割したハイパースペクトルフィルタアレイ(HFA)を作製するためには、64回の成膜工程とパターニング工程を個別に行わなければならないことになり、歩留まりの低下と製造コストの増大が問題となる6) 。
この問題を解決するために、ファブリ・ペロー(Fabry-Perot)共振器の原理に基づいて、厚さが可変のスペーサ層をバイナリ方式で付加的に形成していく、バイナリマルチスペクトル(BMS:Binary Multispectral)フィルタ技術による製造方法が知られている7)8) 。この方法で形成したハイパースペクトルフィルタアレイ(HFA)の製造工程と完成模式図を図2に示す。まず基板上(ガラス基板やイメージセンサが形成されたウェハ上)にミラー層を形成する(図2(a))。このミラー層は、銀(Ag)やアルミニウム(Al)または銅(Cu)をベースとした金属ミラー層が用いられる。その上のスペーサー層について、スペーサ層2の膜厚(光学膜厚Optical Thickness)は同1の半分(図2(b))、スペーサ層3の膜厚は同2の半分、というように1つ前の層の半分の膜厚で形成される9) 。この図の場合では、8バンドに分割したフィルタアレイを形成するのに4回の成膜工程とパターニング工程でできる。製造効率の高いこの方法を使えば、64バンドであれば8回という少ない成膜/パターニング回数で製造することができる(図2(c))。スペーサ層のパターニング工程には、半導体プロセスでよく知られているリフトオフ法が使われる10) 。図2(d)はこの方法で形成した8バンドの完成模式図であり、図3はViavi Solutions社の64バンドのハイパースペクトルフィルタアレイ(HFA)(1片が約2mm□)の拡大写真である。
図2 HFAの製造工程と完成図の模式図
図3 64(8×8)バンドのHFAの拡大写真
3.ハイパースペクトルフィルタアレイの利用
一般に光学フィルタは、そのフィルタを通過した光信号を電気信号に変換するセンサ素子の上に配置され、光学センサとして利用される。例えば前述したCCDやCMOSイメージセンサは、アレイ状に配置されたRGB原色フィルタ等の複数のカラーフィルタと組み合わせて、カラー画像センサとして利用される。イメージセンサに搭載されているほとんどのRGB原色フィルタアレイは、染料や顔料を用いて形成されているが、相対的に色通過帯域が広い。言い換えればRGB分光透過特性の波形がブロードで互いの波形とのオーバーラップが大きく、その結果、色の鮮やかさに劣る。さらに赤外光(IR)も透過するので、可視光領域の良質な映像を得るためには、それを遮断するIRカットフィルタを装備しなければならない。
一方、これまで述べてきた誘電体膜を使った光学フィルタは、色通過帯域が狭く、赤外光等の余分な光を通さないのでRGBの鮮明な画像を得ることができる11)12) 。ただイメージセンサの小型化、高画素化の流れが速く、それに対応できる微細化に追随できていないのが現状である。
近年、近赤外線によるバイオイメージングが注目されており、中でも短波近赤外線領域(SWNIR:Short Wavelength Near-IR)は、身の回りの材料組成に関する情報の宝庫と言われている。特に650〜950nmの「第一生体窓(the first biological window)」と呼ばれている領域は、ヒトの生体組織の主成分である水とヘモグロビンの吸収、散乱が起こりにくいため、生体に対して高い透過率を持っている13)14) 。この波長領域内では、加工も比較的容易で微細化もシリコンプレーナ技術を活用して小型化、高画素化に対応できるCCDやCMOSイメージセンサが使われる。特にCMOSイメージセンサの近年の技術革新は目覚ましく、微細化による小型化、高画素化に加えて、裏面照射(BSI)等による高感度化技術と高度な画像処理技術によって、スペクトル検出に理想的なレベルにまで進化した。さらにこれまで課題であった950nm付近の近赤外線領域の光子検出効率PDE(Photon Detection Efficiency)も、近年各社から発表されている裏面照射型のSPAD(Single Photon Avalanche Diode)センサの登場で克服されようとしている15)16) 。
ただこのようなシリコン(Si)をベースとしたセンサ素子は、可視光領域から波長1000nmぐらいまでが限界で、それ以上になると光検出感度が急激に落ちてしまう。それよりも長波長の領域(第二、第三生体窓)では、1700nmあたりまで感度があるインジウムガリウムヒ素を使ったInGaAsセンサ素子が使われる17) 。これらのいわゆる化合物光半導体受光素子は、Siセンサ素子に比べて加工が難しく、また原材料も高価であり、民生機器へ搭載するにはコスト面でも厳しい課題はあるが、近赤外線センサだけではなく、LiDAR(Light Detection And Ranging)等の半導体レーザー分野、量子ドットレーザーや太陽電池、医療用赤外線画像診断装置等、その応用範囲も多岐に渡り、今後の更なる発展が期待されている。
これまで分光技術は、物質の成分特定や分子構造の解析など、様々な分析を可能にし、大学などの研究機関だけでなく、医療の現場や、半導体・電子機器・農業・製薬・食品・エネルギーといった広範囲の分野で活用され、人々の暮らしや社会に役立ってきた。今後は以上述べてきたように、小型化、高性能化されたセンサ素子の上にハイパースペクトルフィルタアレイを搭載することによって、厳しいコストとサイズの要件をクリアし、ベンチトップ型からハンディ型、さらにはスマートフォンやスマートウォッチへの搭載も現実化しつつある。次項では、このハイパースペクトルフィルタアレイの応用について紹介する。
次回に続く-
【著者紹介】
仲井 淳一(なかい じゅんいち)
丸善インテック株式会社 技術顧問
■著者略歴
1981年 京都大学大学院理学研究科 修士課程修了
同年 シャープ株式会社入社
技術本部中央研究所にて固体撮像素子の研究開発プロジェクトチームに参画
2003年 シャープ株式会社センサー事業部開発部長
2016年 シャープ株式会社定年退職
2017年 丸善インテック株式会社 技術顧問、現在に至る。
(株)ナックイメージテクノロジー 執行役員 小熊 和彦
1.はじめに
目にも留まらぬ速さ、まさに人間の眼で識別できないものを見てみたい欲求を満たすことは高速度カメラの役目である。高速度カメラとは1秒間に何枚の映像を撮影できるかを表す「撮影速度」が高いカメラのことである。スポーツや広告などの制作分野、また産業機器、車の衝突試験、燃焼、溶接、宇宙開発、医療などの計測分野、これら多様な撮影に活躍している。
高速度カメラはフィルム式と電子式の2種類がある。1870年代、馬の疾走を複数台のカメラで捉えたEadweard Muybridgeに始まり、20世紀までフィルム式は主流であった。それから約100年後の1970年代、撮像管とビデオテープを用いた電子式が初めて登場した。その後、撮影速度が上がるにつれて、高速度カメラは大容量の半導体メモリに映像を記録するようになった。
ここでは、1回に数千コマ以上の連続した映像が撮れるカメラと使われているイメージセンサについて説明する。撮影速度はおおよそ100~1,000,000コマ/秒(以下fpsと略す)である。1,000,000 fps以上の撮影が可能なカメラは10コマ前後の記録に限られる。最大でも約100コマである。イメージセンサのタイプは異なるので本稿では触れない。
2.高速度カメラの歴史
高速度カメラに使われた、初期のイメージセンサから現在のCMOSイメージセンサに至るまでの歴史について述べる。図1は弊社の高速度カメラの歴史を示している。縦軸は速さ(ピクセルレート)で「画素数x撮影速度」を指標とした。横軸は年代である。高速度カメラは何故CMOSイメージセンサを必要としたかが分かる。
2.1 2000年以前
2000年以前は、高速度カメラは市販のイメージセンサを利用するしかなかった。そして、この時代のイメージセンサ(撮像管、MOS、CMD、CCD)はすべて画素順次信号処理の構造であり、信号出力は1本だった。図2はCMOSイメージセンサを信号処理の構造によって分類した図1) だが、これらセンサは (a) の構造に当てはまる。撮影速度はどれだけ速く各画素の信号処理をして出力できるかによって決まる。弊社は独自の読出しと信号処理あるいは光学系の工夫で高速化を実現したが、ピクセルレートは0.1 Gpixel/secが限度だった。これ以上の撮影速度を得るにはCMOSイメージセンサの出現が必要であった。
2.2 2000年以降
1990年代の半ば、Dr. Eric FossumがPhotobit社を、ヨーロッパではimec出身者たちがFillfactory社を創立し、CMOSイメージセンサの開発・製造を始めた。構造の特徴を生かして、センサは信号出力を複数本持つことでピクセルレートを飛躍的に向上させた。
弊社のカメラもピクセルレートは1桁上がり、2001年に1280×1024画素、1,000 fpsの製品が完成した。このセンサは水平方向(1行)の16画素の信号を同時に出力でき、信号出力は16本、10 bitのデジタルである。構造は図2 (b) の列並列信号処理である。高速化できた理由は次の3.1項で述べる。2000年以降、各社は映像信号をいかに同時に沢山出力して撮影速度を上げられるかの技術開発に努力している。
なお、Photobit社とFillfactory社は現在存在しないが、これら会社の出身者達は新たな会社で市販品やカスタム品の高速度イメージセンサの開発を続けている。
図1 高速度カメラの歴史
図2 CMOSイメージセンサの構造
図3 列並列信号処理の一例
次回に続く-
参考文献
1) 映像情報メディア学会編;「CMOSイメージセンサ」、コロナ社
【著者紹介】
小熊 和彦(おぐま かずひこ)
株式会社 ナックイメージテクノロジー 技術部 執行役員
■著者略歴
1976年 名古屋工業大学電子工学科卒業
1977年 株式会社ナック(現ナックイメージテクノロジー)入社、技術部
高速度カメラ、高速度イメージセンサの開発に従事