STマイクロエレクトロニクスは、エンハンスメント型GaN（窒化ガリウム）FETの高周波スイッチングを実現するハーフブリッジ･ゲート･ドライバ「STDRIVEG600」を発表した。同製品は、高電流出力、およびハイサイド / ローサイド出力で厳密にマッチングされた45nsの伝播遅延を特徴とする。

STDRIVEG600は、GaNパワー･デバイスに最大6Vのゲート･ソース間電圧（VGS）を柔軟に印加することができ、低いオン抵抗を実現する。また、20VまでのNチャネル･シリコンMOSFETの駆動にも最適。ブートストラップ回路が集積されているため、部品数を最小限に抑えて基板レイアウトの簡略化に貢献する。ブートストラップ回路には、同期整流MOSFETが使用されており、ブートストラップ電圧をロジック供給電源（VCC）に到達させることで、低ドロップアウト（LDO）レギュレータなしで1つの電源から駆動させることができる。

±200V/nsのdV/dt耐性を備えたSTDRIVEG600は、厳しい電気的環境においても信頼性の高いゲート制御を実現する。ロジック入力は、最小3.3VのCMOS / TTLロジックと互換性があり、ホスト･マイクロコントローラやDSPと簡単に接続可能。ハイサイド回路は最大600Vの耐圧を備え、最大500Vの高電圧アプリケーションで使用することができる。

出力は5.5A / 6Aのシンク / ソースに対応し、ターンオン端子とターンオフ端子が分かれているため、設計時に最適なゲート制御方法を選択することができる。また、ハイサイド / ローサイド回路はいずれも電源ソースへのケルビン接続をサポートしており、より高度な制御が可能。ローサイド･ドライバ専用のグランド接続および電源電圧接続により、ケルビン接続を使用した安定性の高いスイッチングを実現し、追加の絶縁や入力フィルタなしで、シャント抵抗を使用して電流を検出することができる。

また、電源スイッチが低効率または危険な状態で動作することを防止する、ローサイド / ハイサイド双方の減電圧ロックアウト（UVLO）機能、インターロックによる貫通電流保護、過熱保護、およびシャットダウン端子といった保護機能も搭載されている。

STDRIVEG600は、生活家電、ファクトリ･オートメーション、産業用ドライブ向けの高電圧PFC（力率改善回路）、DC-DC / DC-ACコンバータ、スイッチング電源、UPS（無停電電源）、太陽光発電システム、モータ･ドライバなど、幅広いアプリケーションに適している。

また、すぐに開発を開始することができる2種類の開発ボード「EVSTDRIVEG600DG」および「EVSTDRIVEG600DM」も提供されている。EVSTDRIVEG600DGは、ケルビン･ソース付きのPowerFLATパッケージ（5 x 6mm）で提供される、150mΩ 650V GaN HEMTを搭載している。 EVSTDRIVEG600DMは、ケルビン･ソース付きのPowerFLATパッケージ（8 x 8mm）またはDPAKパッケージで提供される、ファストリカバリ･ダイオードを内蔵したMDmeshシリーズ 115mΩ 600Vシリコン･パワーMOSFET「STL33N60DM2」を搭載している。

STDRIVEG600は現在量産中で、16ピンのSO16パッケージで提供される。単価は1000個購入時に約1.07ドル。

ニュースリリースサイト：https://prtimes.jp/main/html/rd/p/000001180.000001337.html