オン・セミコンダクターは、電力密度、効率、信頼性が重要な考慮事項となる要求の厳しいアプリケーション向けに、シリコンカーバイド（SiC） MOSFETデバイスの新製品を発表した。 既存のシリコンスイッチング技術を新しい SiC デバイスに置き換えることにより、電気自動車（EV）のオンボードチャージャ（OBC）、ソーラーインバータ、サーバー電源ユニット（PSU）、テレコム、無停電電源装置（UPS）などの用途向けに、優れた性能を実現するという。

車載用AECQ101 および工業用グレードで認定済の650V SiC MOSFET は、シリコン製品と比較して、優れたスイッチング性能と改良された熱性能を提供する新しいワイドバンドギャップ材料をベースにしている。これにより、システムレベルの効率向上、電力密度の向上、電磁干渉（EMI）の低減、システムのサイズと重量の軽減を実現できるとのこと。

新世代の SiC MOSFET は、先進の薄いウエハ技術と組み合わせた新たなアクティブセル設計を採用しており、650V耐圧に対してクラス最高の性能指数 RSP （RDSON * 面積）を実現する。この製品シリーズに含まれる NVBG015N065SC1、NTBG015N065SC1、NVH4L015N065SC1、NTH4L015N065SC1 は、D2PAK7L および To247 パッケージに封止されており、市場で最小の RDSON （12mΩ） を提供する。
また、この技術は、エネルギー損失の性能指数を関して最適化されており、自動車および産業用アプリケーションにおける性能を最適化する。内部ゲート抵抗 （RG） により、設計の柔軟性が増し、デバイスを外付けのゲート抵抗を使って人為的に遅くする必要がなくなる。より高いサージ電圧、アバランシェ能力、短絡回路の堅牢性向上により、信頼性の向上と、長期間のデバイス寿命を達成する。
新デバイスはすべて表面実装で、TO247およびD2PAKなど業界標準のパッケージタイプで利用できるとしている。

ニュースリリースサイト(onsemi)：https://www.onsemi.jp/PowerSolutions/newsItem.do?article=1000877