STマイクロエレクトロニクスは、 シリコン・ベースのハーフブリッジ・ゲート・ドライバと、 2つのGaN（窒化ガリウム）パワー・トラジスタを集積した世界初のSiP（システム・イン・パッケージ）「MasterGaN(R)」に、 非対称型トポロジ向けの新製品であるMasterGaN2を追加した。 同製品は、 2個の非対称型GaNトランジスタを搭載し、 ソフト・スイッチングや動的整流コンバータ・トポロジに適したGaNソリューションを提供するという。

MasterGaN2に搭載された2個の650Vノーマリー･オフ型GaNトランジスタは、それぞれオン抵抗（RDS（on））が150mΩと225mΩで、最適化されたゲート･ドライバが結合されている。そのため、一般的なシリコン・ベースの製品と同様に、簡単に使用することが可能。先進的な集積技術とGaN特有の優れた性能を組み合わせることで、アクティブ･クランプ･フライバックなどのトポロジにおいて、さらなる効率向上、小型化、および軽量化を実現するとのこと。

MasterGaNは、 2個のGaN高電子移動度トランジスタ（HEMT）と高耐圧ゲート・ドライバを1パッケージに集積しており、必要な保護メカニズムをすべて内蔵している。 また、 マイクロコントローラ、DSPユニット、FPGAなどのコントローラ、およびホール・センサといった外付け部品に簡単に接続可能。 ロジック入力は3.3V～15Vの信号と互換性があるため、回路設計を簡略化による部品コストの削減や、実装面積の小型化、および組立工程の効率化に貢献し、これにより、アダプタや高速充電器の電力密度が向上するという。

GaN技術は、USB-PDアダプタやスマートフォン充電器の高速化を実現する。MasterGaNは、一般的なシリコン・ベースのソリューションと比較して、充電器とアダプタで最大80%の小型化と70%の軽量化、および3倍の充電速度を実現するとのこと。

MasterGaN2は、 ローサイドおよびハイサイドの減電圧ロックアウト（UVLO）、ゲート・ドライバのインターロック、専用シャットダウン端子、および過熱保護などの保護機能を内蔵している。また、高電圧パッドと低電圧パッドの沿面距離が2mmを超える高電圧アプリケーションに最適なGQFNパッケージ（9 x 9 x 1mm）で提供されるという。
MasterGaN2は現在量産中で、 単価は1000個購入時に約6.50ドル。

ニュースリリースサイト：https://prtimes.jp/main/html/rd/p/000001127.000001337.html