３　光センサーの分類

光センサーには内部光電効果を利用したものと外部光電効果を利用したものがある。内部光電効果を利用した素子は光伝導効果と光起電力効果を利用した検出器が主流であり、その多くは半導体を用いている。この内部光電効果を利用した光センサーには光伝導型と光起電型に分類される。光導電型の素子としては真性半導体と不純物光伝導セルがある。
光起電型の大部分はPN接合を用いておりSiあるいはGeを母体としており、Siセル、Geセルと呼ばれ広く利用されている。波長帯域も可視光から近赤外線まであるため用途が広い。光起電型に逆バイアス電圧を加えて電流を取り出す形で用いると極めて優れた測定特性を示すようになる。
主流となっている半導体による光センサーはフォトダイオード（Photodiode）と呼ばれ、従来使われていた光電子倍増管に替わるフォトセンサーとして使われるようになった。フォトトランジスタと呼ばれる光センサーもフォトダイオードと同じ検出方法であるが、電流をトランジスタで増幅しておりフォトダイオードよりは応答時間が遅い。
一方外部光電効果を利用した素子には光電子増倍管（PMT、フォトマル）と光電管がある。フォトマルは光により光電陰極から飛び出した電子を、ダイノードで増幅させる。放電管は光により光電陰極から電子が飛び出す。これはフォトレジスタに似た挙動を示す。
イメージセンサーとして使われるCCD（Charge-Coupled Device：電荷結合素子）も光起電力型の光検出器である。^3）
以下に光センサーの分類表を記す。